Skip to content Skip to sidebar Skip to footer
Home / Ilmu Elektro

Pengertian Transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Meliputi Karakteristik , Konstruksi, Diagram Sirkuit dan Kelebihannya

By Admin Post a Comment

Pengertian Transistor IGBT

Transistor IGBT adalah perangkat semikonduktor tiga terminal dan terminal ini dinamai gerbang (gate), emitor (emitter) dan kolektor (collector). Terminal emitor dan kolektor IGBT dikaitkan dengan jalur konduktansi dan terminal gerbang terkait dengan kontrolnya. Perhitungan amplifikasi yang dicapai oleh IGBT adalah radio dengan sinyal i/p dan o/p.
Untuk transistor BJT konvensional, jumlah penguatan hampir setara dengan radio dengan arus output ke arus input yang disebut beta. transistor IGBT terutama digunakan dalam rangkaian penguat seperti transistor MOSFET atau transistor BJT.


IGBT terutama digunakan dalam rangkaian penguat sinyal kecil seperti transistor BJT atau transistor MOSFET. Ketika transistor menggabungkan kerugian konduksi yang lebih rendah dari rangkaian penguat (amplifier), maka sakelar solid state ideal terjadi yang sempurna untuk banyak aplikasi elektronik daya.

IGBT hanya dinyalakan "ON" dan "OFF" dengan mengaktifkan dan menonaktifkan terminal Gerbang-nya. Tegangan +Ve i/p sinyal konstan melintasi gerbang dan terminal emitor akan menjaga perangkat dalam keadaan aktif, sementara asumsi sinyal input akan menyebabkannya "OFF" mirip dengan transistor BJT atau transistor MOSFET.

Baca Juga: Pengertian Limbah Organik Meliputi Manfaat, Jenis, Prinsip Pengolahannya dan Contohnya

 Karakteristik IGBT

IGBT dapat digunakan dalam rangkaian penguat sinyal kecil sama seperti transistor tipe BJT atau MOSFET. IGBT menggabungkan kerugian konduksi rendah BJT dengan kecepatan switching yang tinggi, kekuatan MOSFET Saklar Solid State Optimal yang ideal digunakan dalam aplikasi elektronika daya.

IGBT memiliki Resistansi "On-State" yang lebih rendah, Berarti I2R yang jatuh di struktur output bipolar untuk arus switching yang diberikan jauh lebih rendah. Operasi pemblokiran maju transistor IGBT identik dengan kekuatan MOSFET.


IGBT berubah "ON" atau "OFF" dengan mengaktifkan dan menonaktifkan terminal Gate-nya. Menerapkan sinyal input tegangan positif melintasi Gerbang dan Emitor menjaga perangkat dalam keadaan "AKTIF".

Membuat Sinyal Gerbang input Nol atau Negatif, akan menyebabkannya menjadi "NONAKTIF" dengan cara yang sama seperti BJT atau MOSFET. Keuntungan IGBT, memiliki hambatan saluran yang lebih rendah daripada MOSFET Standar.



Konstruksi IGBT

Konstruksi dasar IGBT channel N diberikan di bawah ini. Struktur perangkat ini sederhana dan bagian Si dari IGBT hampir mirip dengan daya vertikal transistor MOSFET tidak termasuk lapisan injeksi P+. Ini berbagi struktur yang sama dari gerbang semikonduktor oksida logam dan -P melalui daerah channel N+.Dalam konstruksi berikut lapisan N+ terdiri dari empat lapisan dan yang terletak di bagian atas disebut sebagai sumber (source) dan lapisan terendah disebut sebagai kolektor atau drain.
Ada dua jenis IGBT yaitu, tanpa pukulan melalui IGBT (NPT IGBTS) dan pukulan melalui IGBT (PT IGBT). Kedua IGBT ini didefinisikan sebagai, ketika IGBT dirancang dengan lapisan penyangga N+ maka disebut sebagai PT IGBT, sama ketika IGBT dirancang tanpa lapisan penyangga N+ disebut sebagai NPT IGBT.Kinerja IGBT dapat ditingkatkan dengan adanya lapisan penyangga. Pengoperasian IGBT lebih cepat dari pada power transistor BJT dan power transistor MOSFET.



 Diagram Sirkuit IGBT

Konstruksi Dasar dari transistor gerbang bipolar yang terisolasi, Rangkaian driver IGBT sederhana dirancang menggunakan PNP dan NPN Transistor, JFET, MOSFET. Transistor JFET digunakan untuk menghubungkan Kolektor Transistor NPN ke Basis Transistor PNP. Transistor menunjukkan Thyristor Parasit untuk menciptakan Loop Umpan Balik Negatif.

 Resistor RB menunjukkan terminal BE dari transistor NPN untuk mengkonfirmasi bahwa Thyristor tidak terkunci, mengarah ke gerendel IGBT. Transistor menunjukkan struktur arus di antara dua sel IGBT yang berdekatan.  Memungkin kan MOSFET dan mendukung sebagian besar tegangan. Simbol sirkuit IGBT, yang berisi tiga terminal yaitu emitor, gerbang dan kolektor.

IGBT terutama digunakan dalam aplikasi elektronika daya, seperti inverter, konverter dan catu daya, adalah tuntutan perangkat switching solid state tidak sepenuhnya dipenuhi oleh bipolar kekuasaan dan daya MOSFET.

 Keuntungan IGBT

Keuntungan utama menggunakan Insulated Gate Bipolar Transistor
atas jenis perangkat Transistor lainnya
  • Kemampuan Tegangan Tinggi
  • ON-Resistance Rendah
  • Kecepatan Switching yang relatif cepat dan dikombinasikan dengan Zero Gate Drive, menjadikannya pilihan untuk kecepatan sedang
  • Aplikasi Tegangan Tnggi seperti Modulasi Lebar-Pulsa (PWM)
  • Kontrol Kecepatan Variabel
  • Pasokan Daya Mode-sSakelar atau Inverter DC-AC bertenaga surya
  • Aplikasi Konverter Frekuensi yang beroperasi rentang ratusan Kilohertz.

Kesederhanaan yang didorong "ON" dengan menerapkan tegangan gerbang positif, atau beralih "OFF" dengan sinyal gerbang nol atau sedikit negatif yang memungkinkan untuk digunakan dalam berbagai aplikasi. Di wilayah Aktif Linier untuk digunakan dalam Power Amplifier.

Ketahanan On-State yang rendah dan kerugian konduksi serta kemampuannya untuk beralih tegangan tinggi pada frekuensi tinggi tanpa kerusakan membuat Insulated Gate Bipolar Transistor ideal untuk menggerakkan beban induktif seperti Gulungan Kumparan, Elektromagnet dan Motor DC.

Baca Juga: Pengertian Grafis Meliputi Jenis Grafis Berbasis Vektor dan Bitmap Secara Lengkap

Penelusuran terkait
  • Jenis transistor IGBT
  • Rangkaian inverter dengan IGBT
  • Rangkaian driver IGBT
  • IGBT vs MOSFET
  • Simbol IGBT
  • Aplikasi IGBT untuk Konverter
  • Struktur IGBT
  • IGBT pdf

Post a Comment for "Pengertian Transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Meliputi Karakteristik , Konstruksi, Diagram Sirkuit dan Kelebihannya"